Sb掺杂相关论文
提高钠离子电池正极材料的循环稳定性和比容量是实现其广泛应用的关键，基于引入特定杂元素可优化正极材料结构稳定性和比容量的策略......
近些年来,钙钛矿太阳能电池（perovskite solar cells,PSCs）因其出色的光电转换效率（Photoelectric Conversion Efficiency,PCE）引起了......
基于平面波赝势密度泛函理论，采用局域密度近似(LDA)方法研究了Sb 掺杂SnO2 的电子结构和光学性质。计算结果表明，与本征SnO2 比较，Sb......
计算了Sb掺杂SrTi1-xSbxO3(x=0,0.125,0.25,0.33)体系电子结构,分析了掺杂对SrTiO3晶体的结构、能带、态密度、分波态密度的影响.......
Cu(In，Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池，具有吸收性好、转换效率高以及抗衰退性能稳定等突出优点，被认为是最有前途的光伏器件之一。采用电......
丙烯酸是现代化工十分重要的基础原料和中间体之一。目前,工业上制丙烯酸主要以丙烯为原料,通过两步氧化制得。由于丙烯价格较为昂......
二氧化锡（Sn O2）是一种n型宽禁带半导体材料,具有优异的化学稳定性和特定的光电性能,是一种常用的透明导电材料,在太阳能电池、平板......
GaN是一种宽禁带直接带隙Ⅲ族氮化物半导体材料(3.4 eV),因其具有优良的光学、电学性质,且化学和物理稳定性好,而被广泛应用于光电......
二氧化锰（MnO2）由于具有容量高、环保、资源丰富且价格低廉等优点被认为是很有前景的超级电容器电极材料。然而，由于MnO2本身具有电导......
作为一种新型的宽禁带化合物半导体材料,氧化锌(ZnO)在短波长光电器件领域具有巨大的应用潜力。ZnO具有直接带隙能带结构,室温禁带......
近年来,准一维纳米结构成为当今纳米科学的研究热点。它们既可以作为模型材料用于研究低维尺度下基本的物理过程,又可以作为组件构......
近年来CdSexTe1-x三元化合物薄膜由于光学带隙连续可调等原因,可以制备具有渐变带隙的光伏电池,因此受到了许多研究者的关注,目前......
采用传统固相法制备了0.96(K0 5Na0.5)(Nb1-xSbx)O3-0.04Bi0.5Na 0.5ZrO3 (0.96KNNSx0.04BNZ,x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)无铅......
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜。研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜......
采用化学气相沉积法,在没有采用任何催化剂的条件下,在Si(100)衬底上成功制备出Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒,并对样品进行了结构和光学......
用柠檬酸盐法合成了不同掺杂浓度的纳米ZnO,粒径约为15nm.探讨了Sb掺杂对ZnO光致发光峰的影响.随着掺杂量的提高,样品的发射峰从42......
通过能带结构、电子态密度、电子局域化函数、Bader电荷等方面的密度泛函理论(DFT)第一性原理计算,对掺杂了Sb的LiBiO3的电子结构......
采用固相反应法制备了（Mg0.95-X Ca0.05 SbX）TiO3微波介质陶瓷。研究了Sb掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3（95MCT）陶瓷性能的影响。结果表......
以无水SnCl4和SbCl3为原料，采用溶胶一凝胶浸渍提拉镀膜法制备锑掺杂二氧化锡（ATO）导电薄膜，并采用XRD、SEM、霍尔效应（Halleffect）、四......
采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜，并考察了Sb^3＋的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响，以及不同的处理方法对薄......
本文以SnCl4·5H2O、SbCl3和Nd2O3为原料制备了Nd和Sb掺杂SnO2导电粉体,用红外光谱法测定了该粉体的光谱.在730-620cm-1范围,......
采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理。分别利用XRD、SEM、紫外-可见分......
采用动电位扫描结合SEM和XRD等技术研究先进电子制造封装过程中Sb掺杂对64Sn-35Bi-1Ag钎焊料在3%（wt.）NaCl溶液中腐蚀和电化学迁移行......
将SnO2：Sb和SbCl3分别溶解于乙醇中，搅拌至完会溶解，以不同的Sb／Sb混合制备得到溶胶后，分别采用浸渍提拉、喷涂、旋涂工艺制备透明导电......
以Sn粉和Sb2O3为原料．采用共沉淀法制备了纳米ATO粉．TG—DSC及FTIR结果表明，450℃以前前驱体已失去全部水分．并完全转化为氧化物．XRD测......
通过能带结构、电子态密度、电子局域化函数、Bader电荷等方面的密度泛函理论（DFT）第一性原理计算,对掺杂了Sb的LiBiO3的电子结构进......
采用化学气相沉积方法,利用Sb2O3/Sn O作为源材料,在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO2薄膜,并在此基础上制作出p-SnO2：Sb/n-Sn......
采用溶胶凝胶法和旋涂法制备Sb掺杂钙钛矿结构ZTO（ZnSnO3）透明电薄膜,并借助XRD、SEM、XPS、UV-Vis和Hall效应测试等手段研究了其结......
我们详细研究了Ru1-xSbxSr2Gd1.4Ce0.6Cu2O10-δ（Ru1222Gd）和RuSr2Sm2-yCeyCu2O10-δ（Ru1222Sm）系列样品的红外吸收光谱.实验结果表明,......
采用磁控溅射方法在6H-SiC单晶片上制备了锑（Sb）掺杂的氧化锌（ZnO）薄膜.利用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对样品的结晶质量和成分......
研究了Sb掺杂对N型half-Heusler化合物Zr0.25Hf0.25Ti0.5NiSn1-xSbx（x=0、0.002、0.005、0.01、0.02、0.03）热电传输特性的影响。结......
采用化学气相沉积法,在没有采用任何催化剂的条件下,在Si（100）衬底上成功制备出Sb掺杂大尺寸ZnO纳米棒,并对样品进行了结构和光学性......
采用真空封管熔炼缓冷和热压法制备Pb9.6SbmTe3Se7合金样品（m=0.15,0.2,0.25,0.267,0.3,0.35,0.4）,研究Sb的掺杂量对热电性能的影响......
因2维材料中的传输电子被限制在纳米厚度的平面内,在量子限域效应作用下,2维材料展现了许多新奇有趣的现象。近年来,二维SnO半导体......
氮氧化物是一种常见的大气污染物,对周围环境和人们健康造成了很大的危害。低温SCR技术因具有运行能耗低、易对现有锅炉烟气净化系......
学位
ZnO纳米材料是一种新型的直接带隙半导体材料，其禁带宽度为3．37eV。Sb掺杂ZnO纳米材料在光电、气敏效应、P型导电等方面具有优良的性......
计算了Sb掺杂SrTi1-xSbxO3（x=0，0．125，0．25，0．33）体系电子结构，分析了掺杂对SrTiO3晶体的结构、能带、态密度、分波态密度的影响．所有计算都......
采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积（PLD）法,在n-Si（001）衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型ZnO薄膜,其电阻率为44.18Ω.cm,空穴浓度为3.78&......
本文利用X射线衍射、电阻率测量等实验手段对Rul-xSbxSr2Gdl．4Ce0.6Cu2O10-δ（Ru1222)体系的结构和正常态性质进行了研究．结果表明，Sb......
采用水热法制备了不同Sb掺杂量的TiO2微球,并用XRD和FE-SEM对样品进行表征。XRD结果表明,未掺杂和Sb掺杂样品均为纯金红石相;FE-SE......
采用溶胶凝胶法制备了sb掺杂Ti／SnO2电极，通过XRD，SEM，EDS及电化学测试、氧化物总量测试、加速寿命测试等技术手段，研究了Sb的掺杂对电......
基于气-液-固生长机理和原位掺杂技术,成功制备了2%（质量分数）Sb掺杂SnO_2纳米线,所制器件可以在低压环境下工作且不受栅漏电的影响;......
近年来,由于半导体集成电路制造业的快速发展,导致溅射靶材这一高附加值电子材料具有广阔的市场。密实的氧化锡陶瓷材料是一种具有......
作为一种新型的宽禁带化合物半导体材料,氧化锌(ZnO)在短波长光电器件领域具有巨大的应用潜力。ZnO具有直接带隙能带结构,室温禁带......
采用化学气相沉积法在蓝宝石(c-Al2O3)衬底上外延制备了不同含量的Sb掺杂氧化锌(ZnO)纳米线,并通过SEM,XRD,XPS,PL以及霍尔效应仪......
真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜（玻璃衬底），研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出......
Sb掺杂ZnO纳米纤维材料在光电、气敏效应、P型导电等方面具有优异的性质。本文利用静电纺丝方法制备了不同Sb掺杂浓度的ZnO纳米纤......
